各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。科技的进步和发展，使传统产业发生剧烈的变迁，也使贵金属的供求状况出现急剧的变化，这种变化也是导致了贵金属的价格出现剧烈波动的因素之一。

贵金属由于具有独特的物理化学性能，当代科学技术的飞速发展，贵金属将会越来越多的应用于国民经济中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微电子技术等高科技领域及石油化工、化学工业、汽车尾气净化等与人类生活息息相关的领域，并在众多的应用领域中起着关键的的作用，因此被誉为“首要高技术金属”、“现代工业的维生素”“现代新金属”，发达的国家长期以来一直把贵金属视为“战略性物质”。各种生产工艺及其特点简介如下：热等静压法：ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的压力下等方加压烧结。

烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。背靶材料：无氧铜(OFC)–目前Zui常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。

ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，全球需求量都很大。

贵重金属回收指的是从一些特定材料中回收有再利用价值的金属废料。许多珍贵金属回收服务企业采用先进的精练技术提取金，银，铂等金属。这些程序可以从工业废料，电线中提取珍贵的非铁金属。由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。黄金提炼回收服务应用于各种行业，包括航空航天，珠宝，，半导体和印刷电路板行业。

金属精炼能力可以包括熔炼和通过焚烧热还原。回收涉及从金属材料中分离贵重金属，其中一些材料可能包括催化剂，如电子组件或印刷电路板。为了更好的分离或清除金属，普遍采用水解或热解等程序。